Static timing analysis for nanometer designs a practical approach ...
未知
《ModelSim电子系统分析及仿真》
有限元方法(第五版)第一卷 基本原理
(英)O.C.Zienkiewicz (美)R.L.Taylor著
电源芯片中CMOS带隙基准源与微调[..] (1)
ISSCC2021-SC1-Int[..] to PLLs Phase Noise, Modeling, and Key ...
一种具有温度补偿的带隙基准源及其输[..] 何捷
Microsoft PowerPoint - 第十一章 带隙基准 [兼容模式]
Xilinx DS534, FIR Compiler v5.0, Data Sheet
Xilinx, Inc.
Power systems-on-chip practical aspects of design (Allard, Bruno) ...
4<8=8AB@0B>@
Jespers-The gm ID Methodology, a sizing tool
Session 14: mm-Wave Transceivers for Communication and Radar
一种带过温保护和折返电流限的LDO设计
The Definitive ANTLR 4 Reference
Terence Parr
Operation and Modeling of the MOS Transistor By Tsividis
射频电路设计-理论与应用 中文第1版
低噪声快速建立的全片内LDO设计
基于自偏置技术的锁相环设计 刘克赛2019
刘克赛
A low-power small-area /spl plusmn/7.28-ps-ji[..] 1-GHz DLL-based ...
Chulwoo Kim & In-Chul Hwang & Sung-Mo Kang
A 470-nA Quiescent Current and 92.7%/94.7[..] Efficiency ...